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SCT012H90G3AG是900V, 110A碳化硅功率MOSFET器件，采用意法半導體先進創(chuàng)新的第三代SiC MOSFET技術開發(fā)的。該器件在整個溫度范圍內具有非常低的RDS(on)，結合低電容和非常高的開關操作，從而提高了頻率，能效，系統(tǒng)尺寸和重量減輕方面的應用性能。

器件型號：SCT012H90G3AG

技術：SiCFET（碳化硅）

電壓：900V

電流： 110A

安裝類型：表面貼裝型

封裝：H2PAK-7

特性

?通過AEC-Q101認證

?在整個溫度范圍內非常低的RDS(on)

?高速交換性能

?非?？焖俸头€(wěn)健的內在體二極管

?源感應引腳，提高效率

應用

?主逆變器(電力牽引)

?用于EV/HEV的DC/DC轉換器

?車載充電器(OBC)

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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