IXA33IF1200HB 高速 IGBT 是高速、高增益 1200V 絕緣柵雙極晶體管產品。1200V XPT 高速 IGBT 具有較高的額定電流（105A 至 160A，Tc = 25°C），并針對需要高達 50kHz 硬開關頻率的高壓應用中降低開關損耗進行了專門優(yōu)化。
產品屬性
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：58 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，25A
功率 - 最大值：250 W
開關能量：2.5mJ（開），3mJ（關）
輸入類型：標準
柵極電荷：76 nC
測試條件：600V，25A，39 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)：350 ns
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
供應商器件封裝：TO-247AD
應用
● 高頻逆變器
● 不間斷電源
● 電機驅動器
● SMPS
● PFC 電路
● 電池充電器
● 焊接機
● 燈鎮(zhèn)流器
型號
品牌
封裝
數量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產品技術特點為高壓、高功率，涵蓋了…
IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET，屬于 HiPerFET? Polar3? 系列，專為高功率開關應用設計。
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關能力，電流范圍為66A。高開關速度和低傳導損耗的結合為電源設計人員提供了一種新的高價值開關應用選擇。該產品具有以下主要參數：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值…
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IXXK100N60B3H1是一款IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），主要用于10-30kHz的開關應用。該產品具有以下主要參數：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.8V…
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IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。該產品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝道電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：112 A電…
IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模塊具有650V額定電壓、180A電流范圍以及低柵極電荷。該產品優(yōu)化用于需要0至5kHz開關頻率的應用，具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：-配置：單路電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：340 A功率 - 最大值：940 W不同 Vge、Ic 時 Vce…電話咨詢：86-755-83294757
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