STH315N10F7-6 - 100V、2.1mOhm 汽車級 N 溝道、STripFET F7 功率 MOSFET 晶體管,采用 H2PAK-6 封裝
型號(hào):STH315N10F7-6
封裝:TO-263-7(H2PAK-6)
類型:MOSFET 晶體管
描述:N 溝道 100V 180A (Tc) 315W (Tc) 表面貼裝 H2PAK-6
產(chǎn)品概覽
STH315N10F7-6 - N 溝道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技術(shù),具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu),導(dǎo)通電阻極低,同時(shí)還降低了內(nèi)部電容和柵極電荷,開關(guān)速度更快、效率更高。
產(chǎn)品特性
市場上 RDS(導(dǎo)通)最低的產(chǎn)品之一
優(yōu)異的 FoM(優(yōu)越性)
低 Crss/Ciss 比率,抗電磁干擾
高雪崩堅(jiān)固性
專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì),符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
- 開關(guān)應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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