商品名稱:NB7NPQ1104MMTTWG
數(shù)據(jù)手冊:NB7NPQ1104MMTTWG.PDF
品牌:ON
年份:21+
封裝:WQFN42
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:10000 件
NB7NPQ1104M是一款高性能2?端口線性再驅(qū)動器,專為支持5 Gbps和10 Gbps數(shù)據(jù)速率的USB 3.1第1代和USB 3.1第2代應(yīng)用而設(shè)計。PCB跡線、傳輸電纜和內(nèi)部?符號干擾(ISI)。NB7NPQ1104M通過在輸入接收機上采用不同水平的均衡,并在輸出發(fā)射機上采用平坦增益放大來補償這些損失。
NB7NPQ1104M為每個獨立信道提供可編程均衡和平坦增益,以優(yōu)化各種物理介質(zhì)的性能。NB7NPQ1104M包含自動接收器檢測功能,用于確定輸出是否有效。如果相應(yīng)信道的信號檢測器空閑一段時間,則接收器檢測環(huán)路將激活。如果未檢測到負載,則通道將移動到拔出模式,或由于不活動而返回到低功率模式(休眠模式)。
NB7NPQ1104M采用3.5 x 9 mm WQFN42封裝,可在-40°C至85°C的整個工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
特征
? 3.3 V±0.3 V電源
? 帶線性放大器的5 Gbps和10 Gbps串行鏈路
? 設(shè)備支持USB 3.1第1代和USB 3.1第2代數(shù)據(jù)速率
? 自動接收器檢測
? 集成輸入和輸出終端
? 引腳可調(diào)接收器均衡和平坦增益
? 100? 差分CML I/O
? 自適應(yīng)電源管理的自動休眠模式
? 高溫?可插拔
? ESD保護±4 kV HBM
? 工作溫度范圍工業(yè):?40°C至+85°C
? 包裝:WQFN42,3.5 x 9 mm
? 這是Pb?空閑設(shè)備
典型應(yīng)用
? USB3.1型?A和類型?C信號路由
? 手機和平板電腦
? 電腦、筆記本電腦和筆記本電腦
? 外部存儲設(shè)備
? 擴展底座和加密狗
? 有源電纜、背板
? 游戲控制臺、智能電視
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運算放大器的輸入和輸出均可實現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會發(fā)生相位反轉(zhuǎn),輸出可在每個軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲的性能。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢:86-755-83294757
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