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F6102NTGK 是一款 8 元素接收器硅集成電路,采用 SiGe BiCMOS 工藝設計,適用于 Ka 波段 SATCOM 相控陣應用。核心集成電路具有 6 位相位控制和每個通道 30dB 增益控制,可實現(xiàn)輻射元件之間的精細波束轉向和增益補償。該器件具有 16dB 標稱電增益和 -30dBm IP1dB。在工作頻率范圍內,核心芯片的有效相位誤差為 3°,有效增益誤差為 0.3dB。典型總功耗為 0.32W(每個通道 40mW)。
F6102NTGK 的特性
工作頻率為 17.5 千兆赫至 21.5 千兆赫
8 個輻射通道
6 位相位控制
20ns 典型增益穩(wěn)定時間
20ns 典型相位穩(wěn)定時間
3° 典型有效值相位誤差
0.3dB 典型有效值增益誤差
30dB 增益衰減范圍
5 位集成電路地址
帶外部偏壓的集成式比例-絕對溫度 (PTAT) 傳感器
-40°C 至 +95°C 間溫度傳感器
可編程 4 態(tài)片上存儲器
電源電壓 +2.1V 至 +2.5V
-40°C 至 +95°C 環(huán)境工作溫度范圍
27°C 典型環(huán)境工作溫度
5mm X 5mm、40-QFN 封裝
F6102NTGK 的競爭優(yōu)勢
高集成度
相位和振幅控制的正交性
先進的串行外設接口 (SPI),帶 4 態(tài)存儲器
出色的通道間隔離
占用空間最小
F6102NTGK 的應用
Ka 波段衛(wèi)星通信
航空航天和海事
波束轉向
測試和測量
型號
品牌
封裝
數量
描述
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