5 月 23 日消息，SK 海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高 321 層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存的移動端解決方案產品 UFS 4.1。SK 海力士表示：“為了在移動設備上實現端側（On-device）AI 的穩(wěn)定運行，所搭載的 NAND 閃存解決方案產品必…
5 月 23 日消息，SK 海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高 321 層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存的移動端解決方案產品 UFS 4.1。
SK 海力士表示：“為了在移動設備上實現端側（On-device）AI 的穩(wěn)定運行，所搭載的 NAND 閃存解決方案產品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對 AI 工作負載優(yōu)化的 UFS 4.1 產品，公司將進一步鞏固其在旗艦智能手機市場中的存儲器技術領導地位?！?/span>
據介紹，隨著端側 AI 的需求持續(xù)增長，終端設備的計算性能與電池效率之間的平衡日趨關鍵，超薄設計和低功耗特性已成為移動設備的行業(yè)標準。
順應這一趨勢，公司此次開發(fā)的新品較上一代基于 238 層 NAND 閃存的產品能效提升了 7%。同時，成功將產品厚度從 1mm 減薄至 0.85mm，使其能夠適配超薄智能手機。
據查詢獲悉，該產品支持第四代 UFS 產品的順序讀取峰值，數據傳輸速率高達 4300MB/s。決定移動設備多任務處理能力的隨機讀取和寫入速度，相較上一代產品分別提升了 15% 與 40%，達到現存 UFS 4.1 產品中全球領先水平。
該產品提供 512GB 和 1TB 兩種容量規(guī)格。公司計劃于今年內向客戶交付樣品以進行驗證流程，并將于明年第一季度正式進入量產階段。
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
![[供應] 電容式觸控MCU——MSP430FR2632IYQWR (TI) 電容式觸摸感應混合信號微控制器](/upload/202505/24/202505241333474556.jpg)
